【摘 要】
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采用脉冲激光沉积技术（PLD）在硅基片上生长了二氧化钛纳米晶氧化物薄膜,系统讨论了基片温度、氧分压等因素对薄膜结构特性的影响.X射线衍射结果表明在氧气氛下,生长的薄膜为锐
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采用脉冲激光沉积技术（PLD）在硅基片上生长了二氧化钛纳米晶氧化物薄膜,系统讨论了基片温度、氧分压等因素对薄膜结构特性的影响.X射线衍射结果表明在氧气氛下,生长的薄膜为锐钛矿结构,其结晶性随着基片温度的升高而增强,在750℃、5Pa氧压的情况下为完全c轴取向的锐钛矿相TiO2薄膜,在750℃、5Pa氩气氛下则为（110）取向的金红石相薄膜.场发射扫描电子显微镜结果表明薄膜表面致密,呈纳米晶结构,其晶粒尺寸在35nm左右.用傅立叶红外光谱和拉曼光谱对不同条件下制备的TiO2薄膜进行了表征.紫外-可见透射光谱
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