【摘 要】
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采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下（350-400 ℃）直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO 薄膜.研究了不同的基底温度对掺铝ZnO 薄膜的结构、电学性质以及
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采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下（350-400 ℃）直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO 薄膜.研究了不同的基底温度对掺铝ZnO 薄膜的结构、电学性质以及光学性质的影响. 研究发现,其光学透过率在390-1100nm的整个波段都超过87%,在580-1100nm光谱范围内光学透过率超过93%. 当沉积温度为380℃时,掺铝ZnO 薄膜的电阻率最低,其值可达1.2×10^-4 Ω·cm.
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