Na对SnO2-CoO-Nb2O5系压敏材料电学性能的影响

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【摘要】

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研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微

【作者】

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王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏

【机构】

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山东大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

压敏材料电学性能碳酸钠二氧化锡肖特基势垒压敏电压 sodium carbonate SnO_2 varistor Schottky barrier b

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因.对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.4mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4

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