【摘 要】
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提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研究。靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩
【基金项目】
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陕西省重点研发计划(2019GY-060),西安市科技计划(GXYD14.20)
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提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研究。靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩塌的关键因素,新结构中耗尽区扩展,承担了一部分原来集中在漏端的电场,将该处的高电场峰值分解为两个较低电场峰值,沟道电子从电场获得能量减小,跃迁出沟道被缓冲层陷阱俘获的概率降低,电流崩塌效应得到改善。与常规结构HEMT相比,新结构器件电流崩塌量从13.6%降低为3.3%。对凹槽场板结构参数进行优化分析,场板长度为1μm、场板下钝化层厚
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