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在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层，为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN／AZ-4620刻蚀选择比，使用电感耦合等离子刻蚀机（ICP），运用C12和BCl3作为刻蚀气体，改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件，并讨论了这些因素对GaN／AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm／min时的GaN／AZ一4620选择比为0．92，可以应用于实际生产。