【摘 要】
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基于带隙基准原理,在自偏置共源共栅结构的基础上对传统带隙基准电路进行改进,通过在带隙核心电路中加入对应的NMOS管和PMOS管,构成一个三层叠共源共栅结构,显著提高了带隙基准源的电源电压抑制比.电路采用0.2 μm的SOI工艺实现,实验室测试结果表明,该带隙基准电压源电路正常工作时输出基准电压为1.188 V,温度系数为5.4×10-6/℃,启动时间约为2.2 μs.
【机 构】
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广东工业大学信息工程学院,广州,510006;广州穗源微电子科技有限公司,广州,510006;广东工业大学信息工程学院,广州,510006;河源广工大协同创新研究院,广东,河源,517000
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基于带隙基准原理,在自偏置共源共栅结构的基础上对传统带隙基准电路进行改进,通过在带隙核心电路中加入对应的NMOS管和PMOS管,构成一个三层叠共源共栅结构,显著提高了带隙基准源的电源电压抑制比.电路采用0.2 μm的SOI工艺实现,实验室测试结果表明,该带隙基准电压源电路正常工作时输出基准电压为1.188 V,温度系数为5.4×10-6/℃,启动时间约为2.2 μs.
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