【摘 要】
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推导了基于衰减全内反射结构的表面等离子体干涉光刻磁场强度分布的解析表达式,讨论了该光刻结构的最优化条件.当激发光为325 nm激光,棱镜和光刻胶的折射率分别为1.94和1.53
【基金项目】
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Anhui Province Natural Science Research Project of Highter School(KJ2012Z272,KJ2012A203),Anhui Province Fund Project for University Teaching Study(20100975)
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推导了基于衰减全内反射结构的表面等离子体干涉光刻磁场强度分布的解析表达式,讨论了该光刻结构的最优化条件.当激发光为325 nm激光,棱镜和光刻胶的折射率分别为1.94和1.53时,最优化的Al膜厚为19.2nm,共振角为58.83°,激发的表面等离子体干涉刻写光栅的特征尺寸为48.9 nm,小于1/6波长.计算结果表明,高折射的光刻胶可以制造高分辨率的光栅.
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