采用高温溶液法生长了含掺质离子Ｚｒ４ ＋ ，Ｇａ３ ＋ 的单掺和双掺系列ＫＴＰ型晶体。晶体生长过程中发现Ｇａ 掺入溶液后，体系更加稳定，容易生长出光学质量的晶体；而Ｚｒ 掺入溶液后体系稳定性降低，晶体生长较困难。用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量，计算出掺质离子的分配系数，发现生长体系中Ｇａ 无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下，Ｇａ 在晶体中的含量都十分稳定。测定了晶体的晶胞参数、紫外可见红外吸收光谱，测定的结果发现，晶胞参数均变化不大，在吸收光谱中Ｇａ∶ＫＴＰ在可见光谱区有少量的光吸收，而Ｚｒ∶ＫＴＰ晶体是无色透明的。通过粉末倍频实验发现，Ｚｒ 的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高。通过晶体ｃ 轴向离子电导率的测试发现，Ｇａ 的掺入使ｃ 轴向电导率降低了大约３ 个数量级。双掺Ｚｒ 和Ｇａ 的晶体是性能更为优良的掺质ＫＴＰ型晶体。