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首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨，得出薄膜电阻随电阻率的增加，其温度系数将会减小；在一定厚度范围内薄膜厚度减小，其温度系数减小；适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法（调整薄膜的淀积条件以获得高质量的薄膜，再通过热处理激活）及试验结果，对影响电阻特性及稳定性的一些条件进行了讨论，并探讨了高稳定薄膜电阻技术在集成电路中的应用前景。该工艺现已在双极和MOS电路中得到了很好的应用，拥有更快、更好的发展前景。