利用基因芯片技术分析经4 Gy γ射线照射后c-kit（CD117，正常表达于干祖细胞表面的细胞因子受体）阳性细胞与代谢过程相关的基因及信号通路表达变化。

利用磁珠分选系统分选出骨髓c-kit阳性细胞。实验分为对照组、4 Gy照射组。取1×10⁶个c-kit阳性细胞进行照射，照射剂量率为0.99 Gy/min。照射后将细胞培养18 h后取出，进行全基因组的高通量基因芯片检测，并进行Gene Ontology聚类分析和Kyoto Encyclopedia of Genes and Genomes信号通路分析。

4 Gy γ射线照射引起c-kit阳性细胞包括Pld5、Neu2、Bpgm、Alas2、Satl1、Rdh16、Mccc1、Sat2、Smug1、Cml5、Adhfe1、Idh3a、Slc27a5在内的13个基因表达上调3倍以上，包括Acss2、Phgdh、Psat1、Glb1、Gpam、Dus3l、Fuca2、Impdh1、Dlat、Glb1、Enpp4、Prim2、Mettl10、Slc27a2、Dera、Qdpr、Dus1l、Cdyl2、Dhodh、Srr、Spr、Mical2在内的22个基因表达下调3倍以上，这些基因主要参与嘌呤代谢、嘧啶代谢、三羧酸循环等信号通路。

4 Gy γ射线照射能引起c-kit阳性细胞中与代谢过程相关的许多基因表达发生变化，这些变化的基因有待进一步的实验验证。