【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20~490℃)下沉积了A lN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌。实验结果表明,当衬底处在20
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采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20~490℃)下沉积了A lN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌。实验结果表明,当衬底处在20℃冷却的样品台沉积A lN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化。当温度到达400℃时,(002)晶面取向度达到最大。温度达到490℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰。
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