纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究

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【摘要】

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以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700～900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观

【作者】

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秦秀娟邵光杰王文魁刘日平

【机构】

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燕山大学,河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室,河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2004年z1期

【关键词】

：

纳米烧结 ZnO纳米块材晶粒生长的动力学指数表观活化能

【基金项目】

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燕山大学科技发展基金的资助(YDJJ2031).

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以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700～900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制.

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