碳化硅铝合金材料触变成形电子封装壳体研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vsrabbithhf
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用有限元软件DEFORM-3D^TM,开发了热力耦合触变成形电子封装壳体模拟模型,模拟了SiCp/A356(铝合金)复合材料电子封装壳体的成形过程。对触变成形过程中坯料流动速度、等效应变和温度分布进行了分析,并对可能产生的成形缺陷进行了预测。结果发现,使用半固态触变成形技术可成形SiCp/A356复合材料电子封装壳体,在挤压速度为100nm/s、坯料温度为580℃时,能够较好地满足电子封装壳体尺寸的要求,但成形过程中常伴有低于半固态温度的热加工现象出现。
其他文献
利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在1~40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率.
2009年,4月13日,中国大陆首条第6代TFT-LCD生产线开工仪式在合肥市举行,生产线完全由京东方自主建设。京东方第6代TFT-LCD生产线项目计划总投资175亿元,设计产能为月产90K,玻璃基
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型
日本Chemi-Con近日展出了能够在70℃及85℃高温下使用的双电层电容器(EDLC)。而在此之前,由于在高温环境下会出现性能下降,EDLC的正常使用温度一般为60℃。该公司表示,耐高温的实
采用sol-gel工艺,以钛酸铅镧(PLT)作为晶种层,在Pt/TiO2/Si基板上,制备了锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明:引入PLT晶种层的PLZT薄膜,在6
<正> 我不止一次在快餐店看到面色红润、身圆体胖的男孩儿、女孩儿,他们面前摆放着各类美食,他们大口咀嚼着、迅速吞咽着,确实感染唾腺,让人骤生食欲。 这些年来,我们的生活
2001年1月26日,印度西北部古吉拉特邦发生7.9级地震,造成重大的人员伤亡和财产损失。本刊第2期发表了《印度7.9级地震及地震工作概述》(一)一文,综述了这次地震的破坏、人员伤亡、财
日本欧姆龙(Omron)正计划收回其独立的半导体芯片子公司Omron Semiconductors Co.Ltd。届时,Omron Semiconductors将解散,公司将出售自动化系统、控制设备、电子元件、运输系统等
综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400nm时,呈现出了近似块状的性质.采用PLD技术,可以在适当的条件
就象两三年前,可编程逻辑部件领域的两大厂商在90nm器件上进行大比拼一样,2007年,这两家企业Xilinx和Altera又在新一代技术节点65nm器件上开始了竞赛。一方面Xilinx宣称他们比竞