【摘 要】
：
目的 探讨维吾尔族妇女宫颈病变及其人乳头状瘤病毒( human papillomavirus,HPV)感染与低相对分子质量蛋白酶体(low molecular-weight protein,LMP)基因启动子区甲基化水平的
【机 构】
：
新疆医科大学病理学教研室,新疆医科大学第一附属医院妇科,新疆医科大学生物化学教研室
论文部分内容阅读
目的 探讨维吾尔族妇女宫颈病变及其人乳头状瘤病毒( human papillomavirus,HPV)感染与低相对分子质量蛋白酶体(low molecular-weight protein,LMP)基因启动子区甲基化水平的关系和意义.方法 利用专业软件设计LMP2和LMP7基因启动子区含CpG岛特异性PCR引物,对SiHa宫颈癌细胞DNA进行亚硫酸氢盐修饰、目的片段扩增、质粒载体克隆和测序,确定该区域所含CpG序列甲基化情况；收集维吾尔族妇女正常宫颈上皮、宫颈上皮内瘤变(cervical intraepithelial neoplasia,CIN)和宫颈鳞癌(cervical squamous cell carcinoma,CSCC)患者新鲜组织和石蜡组织标本78例,并提取DNA,采用Sequenom MassARRAY DNA技术平台(质谱分析),定量分析LMP2和LMP7基因启动子甲基化水平,同时以HPV分型芯片鉴定HPV亚型,分析基因甲基化与HPV感染的关系；应用RT-PCR和免疫组织化学方法检测LMP2、LMP7mRNA和蛋白的表达,并分析蛋白表达与基因甲基化的关系.结果 LMP2和LMP7基因相应目的片段各含有22个CpG位点,在SiHa宫颈癌细胞基因组DNA中,只有LMP7有2个位点发生甲基化.宫颈病变病理过程伴随着LMP7基因CpG片段甲基化水平改变,其在CSCC和CIN组织的甲基化率(0.1864±0.0893和0.0728±0.0548)高于正常宫颈上皮组织(0.0652±0.0488),差异有统计学意义(P＜0.05).随着宫颈病变的加重LMP7 mRNA和蛋白表达逐渐下调,各组间表达差异具有统计学意义(P＜0.05),LMP7蛋白表达随着该基因甲基化率增高而降低(F=8.69,P=0.035).而LMP2蛋白表达在3组间差异无统计学意义(P＞0.05).HPV分型芯片检出12种HPV基因型,其中HPV16感染率构成比为52/78(66.7％),HPV16亚型阳性与宫颈病变进程及LMP7基因甲基化率升高趋势正相关(t=1.996,P=0.049).结论 LMP7基因启动子区CpG岛甲基化是一种宫颈癌病变特异性改变,与HPV16感染可能存在密切关系.
其他文献
通过循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)和计时库仑法(CC)等研究了邻仲丁基苯酚(o-secbutyl phenol,osBP)在碳糊电极上的电化学行为.结果表明:在pH7.5的B-R缓冲液中,osBP在
综述了低温制备α-Al2O3涂层研究进展,指出实现低温制备α-Al2O3涂层需解决的关键问题是离子轰击以及增加形核密度,同时展望了低温制备α-Al2O3涂层的发展前景和研究方向。
基于土体对地下管线弹性约束的现有设计方法不考虑管土间的塑性滑移,夸大了周围土地对管线的约束程度。研究采用弹性地基梁模型并考虑管土界面上土体剪切破坏或界面摩擦所产生的塑性滑移,发展了地下管线弹塑性地震反应计算方法,推导给出了管体应变的基本计算公式,公式采用滑移系数反映管土间相对滑移所引起的管应变的降低。此外,考虑管线受到行波激励的简谐波作用,推导了土体弹性抗力系数的计算公式,而临界剪应力取为依据土体
采用溶胶凝胶法制备Cr/Al2O3,Nd-Cr/Al2O3催化剂,通过X射线衍射(XRD)、N2吸附脱附和透射电子显微镜(TEM)对催化剂进行表征,结果表明稀土的加入增加了负载过渡金属的氧化铝的
在不限制U为有限论城的情况下,研究了覆盖下近似算子XL和CL的拓扑性质.证明了覆盖下近似算子XL是内部算子,而且由XL生成的拓TXL为包含由覆盖C本身作为子基生成的拓扑TC的最小
采用超临界CO2萃取法提取广东紫珠低极性成分,应用气相色谱-质谱法分析提取物的化学组成,结合计算机检索技术初步鉴定所分离的化合物,应用色谱峰面积归一化法计算各成分的相
讨论航天器太阳帆板伸展过程中航天器姿态运动的最优控制问题。利用多体动力学方法导出带太阳帆板航天器姿态运动方程。在系统角动量为零的情况下,带太阳帆板航天器系统的姿
讨论低秩半定最小二乘问题(1rSDLS)的启发式方法,并利用l0范数的光滑近似函数将(1rSDLS)中的非光滑非凸秩函数进行光滑化处理,并对其线性化,进而转化为光滑凸优化问题,为使用
为了了解设备表面和内部的工频电场,从而更好地研究设备运行的状态及优化改进设备,笔者介绍了一维球型电场传感器的测量原理,设计了一种基于C8051F410单片机的便携式工频电场
利用射频磁控溅镀法在SiO2/Si基板上制备了Bi0.5Sb1.5Te3薄膜样品,并且测量了薄膜样品在不同退火时间与退火温度下的热电性质.结果表明,薄膜样品经30h退火后的热电性质与1h退