【摘 要】
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在集成电路芯片制造中．激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中。未见报道低功率的缺陷扫描时．输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时，会对熔点达1420℃上的硅芯片造成
【机 构】
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昆明理工大学机电学院,中芯国际集成电路制造有限公司
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在集成电路芯片制造中．激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中。未见报道低功率的缺陷扫描时．输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时，会对熔点达1420℃上的硅芯片造成影响．在制造中以Compass为代表的缺陷扫描工具被广泛而无顾虑地应用在芯片制造中。然而通过在动态储存器制造中的一个低良率事件．介绍了缺陷扫描及动态储存器的基本原理，并指出在378mW输出功率时，缺陷扫描能将电容表面硅重熔，导致电容结构被破坏。通过试验、计算指出输出功率≤100mW是安全使用功率，为芯片制造业界提供了关于表面材料为硅、氧化
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