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本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。
硅片直接键合过程中的界面控制
【摘 要】
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本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。
【机 构】
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机电部第24研究所,四川重庆
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1993年1期
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