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为了更清楚地了解含硼聚乙烯的屏蔽性能,用反冲电子法测量了D-T中子照射下的不同B4C含量的聚乙烯球的泄漏γ能谱,并用MCNP/4A程序和ENDF/B-Ⅴ库数据进行模拟计算.实验测量值和计算值在误差范围内符合得较好.
D—T中子照射下含硼聚乙烯球泄漏γ能谱测量
【摘 要】
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为了更清楚地了解含硼聚乙烯的屏蔽性能,用反冲电子法测量了D-T中子照射下的不同B4C含量的聚乙烯球的泄漏γ能谱,并用MCNP/4A程序和ENDF/B-Ⅴ库数据进行模拟计算.实验测量值
【机 构】
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中国工程物理研究院
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2005年3期
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