【摘 要】
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采用维氏和赫兹压痕法研究了Ti3SiC2接触损伤及其演变.结果表明,在维氏压痕接触损伤区从表面到纵深的不同损伤排序为:表面的晶粒粉碎,亚表面的晶粒分层或破碎,再远处的晶粒完
【机 构】
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中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金，中国科学院"百人计划"，国家高技术研究发展计划(863计划)
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采用维氏和赫兹压痕法研究了Ti3SiC2接触损伤及其演变.结果表明,在维氏压痕接触损伤区从表面到纵深的不同损伤排序为:表面的晶粒粉碎,亚表面的晶粒分层或破碎,再远处的晶粒完好;在赫兹压痕接触损伤区剪切损伤带以内的晶粒破碎,剪切带以外的晶粒完好.因此,造成压痕处的局部能量耗散,使应力传递受限、应力集中下降,使这种三元层状陶瓷具有准塑性特征.用声发射(Acoustic Emission,简称AE)系统监测赫兹压痕加卸载过程中的局部损伤过程,发现在加载过程中声发射信号密集,卸载过程声发射信号稀疏,证明了损伤和局
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