【摘 要】
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恩智浦半导体宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS(0n)(25V和30V均为亚1mQ级)，是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS(on)和Qg，而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS(on
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恩智浦半导体宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS(0n)(25V和30V均为亚1mQ级)，是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS(on)和Qg，而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS(on)、低Ooss、低Qg(tot)与Qgd之间的平衡，从而实现强大的开关性能，减少漏极输出与源极引脚之间的损耗，同时提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-S08封装，尺寸紧凑，面积仅为5mmx6mm，可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。
恩智浦NextPower系列25V和30VMOSFET在以下六个参数方面性能表现优异：
●低RDS(on)——拥有行业最低RDS(0n)的Power-SO8封装产品——在SYNC FET或功率OR-ing应用下具有I2R损耗低、性能出色的特点
●低Ooss，有利于减少漏极与源引脚之间的损耗，当输出引脚上出现电压变化时，还可减少输出电容(Coss中存储的损耗能量
●低Miller电荷(Qgd)，有利于减少开关损耗和高频开关次数
●SOA性能可以极好地承受过载和故障条件
●低栅极电荷(Qg)可以
减少栅极驱动电路中的损耗
●出色的额定结点温度Tj(max)，坚固型Power-S08 LFPAK封装则为条件恶劣且对可靠性要求较高的环境提供了保障
●要应用领域包括同步降压稳压器、DC-DC转换、稳压器模块和功率OR-ing
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