【摘 要】
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日本古河电气工业公司于1996年5月成功地使1.3μm波段InP系半导体面发光激光器在摄氏36℃下连续工作。 将信号送入光纤的发光元件主要采用钾、砷系半导体激光器。光通信用发
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日本古河电气工业公司于1996年5月成功地使1.3μm波段InP系半导体面发光激光器在摄氏36℃下连续工作。 将信号送入光纤的发光元件主要采用钾、砷系半导体激光器。光通信用发光元件则比In、P系面发光方式传输效率好,且能使装置实现小型化。
Furukawa Electric Co., Ltd. in Japan in May 1996 successfully made 1.3μm band InP semiconductor surface-emitting lasers at 36 ° C continuous operation. The signal into the optical fiber of the light-emitting element is mainly used potassium, arsenic-based semiconductor laser. The light-emitting device for optical communication has higher transmission efficiency than the In and P system-side light-emitting systems, and the size of the device can be reduced.
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