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对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明，Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止ＧａＡｓ合金点的形成是取得良好的对准标记的关键。