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推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案，通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构，该方案有望实现大规模模拟存储阵列，推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。
脉冲控制忆阻模拟存储器
【摘 要】
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推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案，通过理论分析、实验仿真
【机 构】
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西南大学电子信息工程学院重庆北碚区400715,重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区400033
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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2011年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金（60972155,61101233,60974020）,重庆市自然科学基金（CSTC2009BB2305）,中央高校基本科研业务费专项（XDJK2010C023,XDJK20108005）,中国博士后科学基金（CPSF20100470116）,重庆市高等教育教学改革研究重点项目（09-2-011）,本文研究工作得到西南大学博士科研资助项目（SWUB2008074）和西南大学教育教
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