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TaN薄膜电阻由于具有高的微波承受功率、低的电阻温度系数以及良好的化学稳定性,是目前常用的功率电阻。在Ar/N2混合气氛下,利用直流反应溅射制备了面心立方结构的TaN薄膜功率电阻。实验发现,当Ta/N原子比在0.9~1.2之间时,可以形成比较好的面心立方结构TaN。其电阻温度系数约为-1.86‰/℃,对于6mm(长)×0.3mm(宽)×0.25μm(厚)的薄膜电阻,微波承受功率超过3W,而Ta薄膜电阻承受微波功率小于2W。