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目的研究半导体纳米薄膜材料的光学吸收谱由于温度效应产生的吸收边变化和能带移动。方法采用共沉淀法制备了硒化物半导体纳米薄膜材料CdSe，并测量材料在室温至低温下的紫外一可见吸收光谱，观察不同温度下谱带吸收边的变化。结果实验发现光学吸收边随温度降低而发生蓝移的情况，将（ahv）^2-hn曲线直线部分外推，与横轴的截距即为材料带隙宽度Eg，数据模拟结果显示Eg随温度变化是非线性的，且能带随温度的变化较好地符合Fernandez公式。结论进而分析造成吸收谱温度效应的原因是温度变化对晶格参数及电子-声子相互作用的影