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期刊论文
Si/Si1—xGex异质结器件
Si/Si1—xGex异质结器件
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:BING_YAN3414
【摘 要】
:
本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。
【作 者】
:
罗浩平
蔡金华
【机 构】
:
华晶公司中央研究所(前24所分所)
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1993年2期
【关键词】
:
HBT
双极晶体管
异质结器件
SI-GE
HBT
Si1-xGex
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本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,指出了Si/Si_(1-x)Gex器件的应用前景。
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