【摘 要】
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绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是限制新能源汽车可靠性和成本的关键因素。结温监测能够提升IGBT功率模块的功率密度,提高系统可靠性,降低成本
【机 构】
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中国科学院大学,中国科学院电工研究所,中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室（电工研究所）,北京电动车辆协同创新中心
【基金项目】
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国家重点研发计划资助项目(2016YFB01006000),中国科学院前沿科学重点研究资助项目(QYZDB-SSW-JSC044)
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绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是限制新能源汽车可靠性和成本的关键因素。结温监测能够提升IGBT功率模块的功率密度,提高系统可靠性,降低成本。基于此,提出一种基于大电流通态压降的IGBT功率模块结温监测方法。首先分析通态压降与结温之间的关系,然后设计通态压降结温校准电路,并基于小电流通态压降对校准结果进行验证。最后,分别使用数学模型和神经网络模型拟合结温和通态压降的关系,对基于模型对结温进行预测。结果证明,大电流通态压降能够准确测量结温。
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