【摘 要】
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用改进的熔铸-再结晶(CR)技术,生长得到了 ZnTe 克分子分数为 x(0.05<x<0.15)的大晶粒(Hg,Zn)Te 晶锭。CR 过程的再结晶步骤是利用与安瓿轴垂直的高温度梯度(10～100K/cm)来实
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用改进的熔铸-再结晶(CR)技术,生长得到了 ZnTe 克分子分数为 x(0.05<x<0.15)的大晶粒(Hg,Zn)Te 晶锭。CR 过程的再结晶步骤是利用与安瓿轴垂直的高温度梯度(10～100K/cm)来实现。对原生材料和在 Hg 蒸气中低温退火过材料的均匀性以及结构、光学和光电特性进行了研究。研究表明:低温退火对材料特性的影响,基本上与对(Hg,Cd)Te 的影响类似。原生的 p 型层易转变成 n 型材料,最终的施主浓度在10~(15)cm~(-3)中等范围内,该值反映了不受控的掺杂水
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