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利用循环伏安方法和恒电位阶跃技术研究Ni-SiC复合镀层电沉积行为。结果表明：Ni-SiC复合镀层和纯Ni镀层的形核／生长过程符合Scharifker-Hill三维成核模型；在低过电位下，Ni．SiC复合镀层形核／生长过程按三维连续成核机制；高过电位下，形核／生长过程遵循瞬时成核机制，与纯Ni镀层的形核／生长过程具有一致性；无论Ni-SiC复合镀层还是纯Ni镀层，形核弛豫时间‰随负电位的增大呈现有规律递减趋势，相应的厶值基本相近；SiC粉体的引入导致Ni形核的过电位正移和‰的显著减小。