ZnO薄膜光学常数测量

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bell900818
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复介电常数和复折射率(折射率和消光系数).为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱.对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复介电常数和复折射率.实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3.5;在4
其他文献
采用一步化学溶液法在玻璃衬底上通过改变溶液浓度、酸碱度等影响因素生长出不同形貌和不同尺寸的ZnO棒.已生长出的ZnO棒的形貌有细长棒形,垂直于衬底的规则六角形,短而粗的
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DC
采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C:Si接近1:1.用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴
近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点.对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注.比较了不同正向偏压条件下
采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物形量子点中弱耦合极化子的基态能量和束缚能.计算结果表明,基态能量和束缚能随有效束缚强度增加而减小.随着有效束缚强度逐渐加大,
以多孔氧化铝为模板,将可溶性发光聚合物聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-1, 4-对苯乙炔) (MEH-PPV)镶嵌在纳米孔中,制备出高发光效率的纳米发光聚合物阵列,其光学特性与MEH-
用溶胶—凝胶的方法制备了染料掺杂的SiO2凝胶复合体系。无机基质制备过程中的各种条件对无机基质的微结构有很大影响,从而对复合材料的性能有很大影响。大量的研究表明,凝胶制
不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因.对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅
采用线性组合算符和幺正变换方法研究强弱耦合情形下,库仑场中束缚光学极化子的基态能量、振动频率和平均声子数与温度的关系.对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:在强耦合情形