Design,characterization and fabrication of an In0.53Ga0.47As planar Gunn diode operating at millimet

来源 :太赫兹科学与电子信息学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:moneyNUMBER_1
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This paper describes the design,characterization and fabrication of a planar In0.53Ga0.47As based planar Gunn diode on an In P semi-insulating substrate.The planar Gunn diode was designed in Coplanar Waveguide(CPW)format with an active channel length and
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