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使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si:H）具有优异的性能，把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上，制成了nc-Si／c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二级管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。
纳米硅二极管的独特性能
【摘 要】
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使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si:H）具有优异的性能，把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上，制成了nc-Si／c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二级管具有许多优于传统
【机 构】
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南京大学物理系
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2002年1期
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