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采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%, 即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441.6nm光激发有Er3+较强的1.54μm特征光发射.探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er3+的光致发光性能.