目的探讨半导体激光间质内热毁损脑组织范围与激光输出功率和作用时间的对应关系.方法半导体激光裸光纤分别以输出功率1、2、3、4、5 W及作用时间60、120、180、240、300 s进行不同组合,作用于兔脑组织,同时动态进行红外热图监测.激光热毁损后即刻以空气栓塞法处死兔,取完整兔脑制备切片,光镜下观察热毁损灶病理变化,测量毁损范围,利用目标规划模型进行统计学分析,并将热毁损实际范围与远红外热图所示45℃线范围分别进行对比分析.结果兔脑组织热毁损灶呈典型的带状改变,热毁损灶范围与激光输出功率和作用时间呈指数增加关系,远红外热图中45℃线范围大于相应的实际毁损范围.根据实验观察结果,建立了兔脑组织毁损范围与半导体激光输出功率和作用时间的对应关系的数学模型.结论对于某一确定范围的神经组织病灶,可根据数学方法选择实施激光间质内热毁损的激光功率和作用时间.