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中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析

来源 :2004全国图像传感器技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JEEFHARDY

【摘 要】

：

本文运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,分别对能量为1MeV和14MeV的中子,在注量范围为3×1013～5×1014cm-2辐照下,对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究.建立

【作 者】

：

王祖军 唐本奇 张勇 肖志刚 黄绍艳 

【机 构】

：

西北核技术研究所,陕西,西安,710024

【出 处】

：

2004全国图像传感器技术学术交流会

【发表日期】

：

2004年12期

【关键词】

：

CCD 中子辐照 电荷转移效率 位移损伤效应 数值模拟 MEDICI 

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本文运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,分别对能量为1MeV和14MeV的中子,在注量范围为3×1013～5×1014cm-2辐照下,对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究.建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中子辐照模型,并对模拟结果进行了机理分析,得出中子辐照诱导CCD器件电荷转移效率降低的初步规律.

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