【摘 要】
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利用低压金属有机源气相沉积(LP-MOCVD)技术,在 (0001)蓝宝石衬底上生长ZnO纳米岛,发现在适当的生长条件下,可以生长出规则排列的纳米岛.实验发现随着生长时间的增加,在蓝宝
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利用低压金属有机源气相沉积(LP-MOCVD)技术,在 (0001)蓝宝石衬底上生长ZnO纳米岛,发现在适当的生长条件下,可以生长出规则排列的纳米岛.实验发现随着生长时间的增加,在蓝宝石衬底上沉积的ZnO晶体颗粒无论是密度还是体积都在增加,并出现颗粒之间的交叠现象.与厚膜材料相比,相应的室温PL谱上显示出带边蓝移现象,随着生长温度的提高将大大增加ZnO在蓝宝石衬底上成核的困难.另外,所有样品的室温PL谱在带边附近均存在一个展宽峰,这可能是由表面态或晶体缺陷造成的.研究表明选择合适的生长时间与生长温度是利用MOCVD生长高质量ZnO纳米岛的关键因素之一.
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