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基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件（截止波长为9~10μm）的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B＋离子注入的平面结汞空位n~＋-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞（HgCdTe）器件零偏阻抗（R0）在80 K以上与碲锌镉（CdZnTe）基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流（I_（tat））超过产生复合电流（I_（g-r））,成为暗电流的主要成分.与平面n