【摘 要】
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本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法.
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