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利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料，利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１Ｗ，斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。
高功率GaAlAs／GaAs SQW激光器
【摘 要】
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利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料，利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１Ｗ，斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。
【机 构】
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长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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长春光学精密机械学院学报
【发表日期】
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1999年4期
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