【摘 要】
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用磁控溅射在硅片上制备MoS2和 Ti-MoS2薄膜,并将其在恒温恒湿箱中在AT 30℃、RH 70％条件下存储360 h.使用XRD谱、XPS谱和紫外-可见分光光度计、四探针测试仪表征分析薄膜的结
【机 构】
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甘肃省科学院传感技术研究所 兰州730000;中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室 兰州730000
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用磁控溅射在硅片上制备MoS2和 Ti-MoS2薄膜,并将其在恒温恒湿箱中在AT 30℃、RH 70％条件下存储360 h.使用XRD谱、XPS谱和紫外-可见分光光度计、四探针测试仪表征分析薄膜的结构、在恒温恒湿条件下存储前后的表面化学状态和电学性能,研究了 Ti掺杂对薄膜抗氧化性和电学性能的影响.结果表明:Ti掺杂影响MoS2薄膜的晶体取向.随着Ti靶电流的增大薄膜的结晶性变差,Ti靶电流为0.6A时薄膜呈无定型结构且禁带宽度减小、电导率提高;在恒温恒湿条件下存储后薄膜的部分氧化而呈MoS2与MoO3的复合状态,随着Ti靶电流的增大IMo-o/IMo-s比提高、禁带宽度略有增大,Ti靶电流为0.4A的Ti-MoS2薄膜其化学稳定性较高.
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