退火对AlGaInP／GaInP多量子阱LED外延片性能的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wenty2008

【摘要】

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采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴

【作者】

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李述体范广涵周天明孙慧卿王浩郑树文郭志友

【机构】

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华南师范大学

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

：

MGaInP AlGaInP/GaInP多量子阱金属有机化学气相沉积电化学电容电压分析光致发光 AlGaInP AlGaInP/GaInP MQW M

【基金项目】

：

国家科技攻关项目，华南师范大学校科研和教改项目

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采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.

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