AgGa1—xInxSe2晶体的蚀坑研究

来源 :新疆大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mingxingc

【摘要】

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晶体的质量是其元器件制备的关键之一，蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2）单晶，通过化学腐蚀和金相显微镜研究了（101）晶

【作者】

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马杰华朱世富赵北君赵国栋杨帆陈宝军何知宇

【机构】

：

四川大学材料科学系

【出处】

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新疆大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2009年2期

【关键词】

：

AgGa1-xInxSe2晶体腐蚀金相显微镜蚀坑形状 AgCa1-xInxSe2 crystal etch metalloscope etch-pi

【基金项目】

：

教育部博士点基金项目（20040610024）.

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晶体的质量是其元器件制备的关键之一，蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2）单晶，通过化学腐蚀和金相显微镜研究了（101）晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小．结果表明：采用HNO3：HCl=1：2．5的配方，在室温下腐蚀5min，获得了较好的梯形蚀坑．发现晶体的缺陷主要是位错，并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施，为高质量晶体元件的制备奠定了基础．

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