具有量化噪声抑制的小数分频器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:h462r5134dg
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介绍了一款用于分数分频频率综合器的具有量化噪声抑制功能的小数分频器。使用4/4.5双模预分频器,将分频步长降为0.5,使带外相位噪声性能提高6 dB。ΣΔ调制器和分频器的配合使用一种非常简单的编程方式。采用同步电路消除异步分频器的抖动。采用该分频器的频率综合器在SMIC 0.18μm RF工艺下实现,芯片面积为1.47 mm×1 mm。测试结果表明,该频率综合器可以输出1.2~2.1 GHz范围的信号。测试的带内相位噪声小于-97 dBc/Hz,在1 MHz频偏处的带外相位噪声小于-124 dB
其他文献
为了提高高职院校学生的全面素质,结合多年的教学经验和高职院校学生的心理特点,合理应用教育心理学,分析了达到优化数学教学设计的方法,通过这些方法调动学生学习数学的积极
以负载型氧化物为催化剂,研究了二氧化碳在超临界条件下,与甲醇和环氧丙烷一步合成碳酸二甲酯的反应性能.发现反应中的DMC是由PO和二氧化碳环加成合成的PC与甲醇进行酯交换所
采用改进的线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的有效质量与振动频率x的变化关系。得出束缚磁极化子的有效质量均由两部分组成:第一部分是由于电子一
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘
用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器(VCO)。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现