强外电场作用下二甲基硅酮的分子结构和激发态

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【摘要】

：

采用密度泛函(DFT)方法B3P86在6-311+ +G(d, p)基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极场(-0.04～0.04 a.u.)作用下,二甲基硅酮的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总

【作者】

：

马美仲徐国亮谢安东陈晓军张永彬朱正和

【机构】

：

四川大学原子与分子物理所,中国工程物理研究院

【出处】

：

化学物理学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

二甲基硅酮激发态电偶极场杂化CIS-DFT dimethyl siloxane excited state dipole electric field h

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采用密度泛函(DFT)方法B3P86在6-311+ +G(d, p)基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极场(-0.04～0.04 a.u.)作用下,二甲基硅酮的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量.在优化构型下用同样的基组采用杂化CIS-DFT方法(CIS-B3P86)研究了同样外电场条件下对二甲基硅酮的激发能和振子强度的影响.计算结果表明,分子几何构型与电场大小和方向呈现强烈的依赖,正向电场下基态偶极矩随电场强度线性增加,分子总能量降低,当反向电场大于0.03 a.u.时,偶极距方向改变,总

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