【摘 要】
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提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,
【机 构】
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杭州电子科技大学"射频电路与系统"教育部重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金重点资助项目(61871161);浙江省自然科学基金资助项目(LZ17F010001)
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提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质因数超过21,实现了较低的相位噪声。通过二极管组成变容阵列,实现了较宽的调谐范围。流片测试结果表明,VCO调谐范围为3.370~4.147 GHz,最大输出功率为-16.13 dBm,直流功耗为43 mW。在振荡频率为4.1 GHz时,相位噪声为-125.2 dBc/Hz@1 MHz。该VCO在相对较宽的调谐范围内实现了较低的相位噪声。
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