Si基CeO<sub>2</sub>/Tb<sub>4</sub>O<sub>7</sub>超晶格薄膜发光特性的研究

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangdaojin
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利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品, 将样品置于弱还原气氛中高温退火后, 观察到薄膜样品在488, 544, 588以及623 nm左右出现Tb3 的四个典型发光峰。 结合激发光谱、 吸收光谱以及XRD分析表明, CeO2薄膜在高温下失氧, 发生Ce4 →Ce3 转变, Ce3 吸收紫外光后, Ce3 与Tb3 发生能量传递, 产生发光。 通过改变Tb4O7薄膜厚度, 研究了Tb4O7层厚对超晶格发光的影响, 结果显示在Tb4O7层厚为0.5 nm时, 发光强度最大; Tb4O7层厚大于0.5 nm时, 由于Tb3 间的能量传递, 产生浓度猝灭。 同时, 对超晶格样品在900~1 200 ℃之间进行了不同温度、 不同时间的退火, 结果显示在1 200 ℃下进行2 h的退火, 薄膜发光强度达到最大。 研究认为, Ce3 的浓度、 氧空位缺陷以及Ce3 与Tb3 间距的变化是导致这一结果的主要原因。
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