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本文介绍在分子束外延系统中，沿[311]面原位生长GaAs／AlAs量子线结梅的一种简单方法及其拉曼和发光特性。这一方法能克服目前纳米尺度光刻技术的困难，因此，是一种制备低维样品的有希望的方法。
在[311]面上直接生长GaAs／AlAs的量子线结构及其光学性质
【摘 要】
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本文介绍在分子束外延系统中，沿[311]面原位生长GaAs／AlAs量子线结梅的一种简单方法及其拉曼和发光特性。这一方法能克服目前纳米尺度光刻技术的困难，因此，是一种制备低维样品的
【机 构】
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半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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1994年1期
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