【摘 要】
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在基于Oxide有源层四次光刻工艺中,研究了增强型电感耦合等离子体干法刻蚀设备对光刻胶的灰化特性.通过正交实验分析了O2流量、功率和压力对光刻胶灰化速率、均一性和横向、
【机 构】
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在基于Oxide有源层四次光刻工艺中,研究了增强型电感耦合等离子体干法刻蚀设备对光刻胶的灰化特性.通过正交实验分析了O2流量、功率和压力对光刻胶灰化速率、均一性和横向、纵向损失量的影响趋势.实验结果表明,O2流量对光刻胶纵向损失影响最大,当O2流量为6000 mL/min时,纵向损失量(vertical loss)达到最大.功率对光刻胶横向损失影响(CD loss)最大,当功率为32 kW时,横向损失量最小.在此基础上进一步优化工艺参数,当腔室压力为1.3 Pa,灰化时间为40 s 时,CD loss 为 1.36 μm,Vertical loss 为0.84 μm,C/V 值最优.
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