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本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm~2,室温下特征温度大于400K。
分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究
【摘 要】
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本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm~2,室温下
【机 构】
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中国科学院上海光机所,中国科学院物理研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1991年6期
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