【摘 要】
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在SWCNTs-TFT器件中沟道电流随栅极电压变化而发生的滞回可以达到320 V,且其滞回特性受栅压调控并具有随时间变化的特性。经研究,聚咔唑中的高电化学活性基团是造成器件中滞
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,北京大学
【基金项目】
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国家重点研发计划(2016YFA0201902),国家自然科学基金(61621061),北京市自然科学基金(Z171100002017001)
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在SWCNTs-TFT器件中沟道电流随栅极电压变化而发生的滞回可以达到320 V,且其滞回特性受栅压调控并具有随时间变化的特性。经研究,聚咔唑中的高电化学活性基团是造成器件中滞回现象和其时变特性的主要原因。利用聚咔唑筛选出半导体特性的SWCNTs薄膜制备TFT,可以在器件特性随时间变化的过程中动态地处理信息。通过研究阈值电压漂移与栅级电压的调控,找到了器件与生物突触间的相似性,模拟了突触可塑性功能,并利用压电薄膜作为外界输入,演示了更多可能的低功耗应用。这种具有时变特性的电子元件在新型逻辑电路和神经形态计
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