ZnGa2O4:Cr^3+近红外长余辉荧光粉制备与光学性能研究

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采用高温固相法制备了ZZnGa2O4:Cr^3+近红外(660-1300 nm)长余辉荧光粉,并系统地研究了样品的荧光、长余辉、光激励发光及热释光性能.样品的余辉激发谱测试结果显示,ZnGa2O4:Cr^3+长余辉材料的余辉主要源自O^2--Ga^3+之间的电荷迁移跃迁激发,而非Cr^3+离子的本征跃迁激发.光激励发光性能的研究表明,ZnGa2O4:Cr^3+在紫外光激发的余辉完全衰减后可以被近红外光再次激发出明亮的余辉,这说明ZZnGa2O4:Cr^3+在紫外光信息写入后可以用红外光进行信息读出.根据实
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